Radiation Damage caused by swift heavy ions in MgO crystals

(1)

ISSN (Print) 2616-6836 ISSN (Online) 2663-1296

Л.Н. Гумилев атындағы Eуразия ұлттық университетiнiң

ХАБАРШЫСЫ BULLETIN

of L.N. Gumilyov Eurasian National University

ВЕСТНИК

Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева

ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ сериясы

PHYSICS. ASTRONOMY Series

Серия ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ

№2(131)/2020

1995 жылдан бастап шығады Founded in 1995

Издается с 1995 года

Жылына 4 рет шығады Published 4 times a year Выходит 4 раза в год

Нұр-Сұлтан, 2020

Nur-Sultan, 2020

Нур-Султан, 2020

(2)

Бас редакторы:

ф.-м.ғ.д., профессор, Л.Н. Гумилев атындағы ЕҰУ А.Т. Ақылбеков (Қазақстан)

Бас редактордың

орынбасары

Гиниятова Ш.Г. ф.-м.ғ.к., доцент Л.Н. Гумилев атындағы ЕҰУ (Казахстан)

Редакция алқасы

Арынгазин А.Қ. ф.-м.ғ. докторы, Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ(Қазақстан) Алдонгаров А.А. PhD, Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан)

Балапанов М.Х. ф.-м.ғ.д., проф., Башқұрт мемлекеттiк университетi (Ресей)

Бахтизин Р.З. ф.-м.ғ.д., проф., Башқұрт мемлекеттiк университетi (Ресей)

Даулетбекова А.Қ. ф.-м.ғ.к., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан) Ержанов Қ.К. ф.-м.ғ.к., PhD, Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан) Жұмадiлов Қ.Ш. PhD, Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан)

Здоровец М. ф.-м.ғ.к., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ(Қазақстан)

Қадыржанов Қ.К. ф.-м.ғ.д., проф., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан) Кайнарбай А.Ж. ф.-м.ғ.к., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан)

Кутербеков Қ.А. ф.-м.ғ.д., проф., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан) Лущик А.Ч. ф.-м.ғ.д., проф., Тарту университетi (Эстония) Морзабаев А.К. ф.-м.ғ.к., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан) Мырзақұлов Р.Қ. ф.-м.ғ.д., проф., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ(Қазақстан) Нұрахметов Т.Н. ф.-м.ғ.д., проф., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан) Сауытбеков С.С. ф.-м.ғ.д., проф., Әл-Фараби атындағы ҚазҰУ (Қазақстан) Салиходжа Ж.М ф.-м.ғ.к., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан)

Тлеукенов С.К. ф.-м.ғ.д., проф., Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан) Усеинов А.Б. PhD, Л.Н. Гумилев ат. ЕҰУ (Қазақстан)

Хоши М. PhD, проф., Коши университетi (Жапония)

Редакцияның мекенжайы: 010008, Қазақстан, Нұр-Сұлтан қ., Сәтбаев к-сi, 2, 402 б., Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетi.

Тел.: +7(7172) 709-500 (iшкi 31-428) E-mail: vest_phys@enu.kz

Жауапты хатшы, компьютерде беттеген: Г. Мендыбаева Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетiнiң Хабаршысы.

ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ сериясы

Меншiктенушi: ҚР БжҒМ "Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетi" ШЖҚ РМК Мерзiмдiлiгi: жылына 4 рет. Басуға 05.06.2020 ж. қол қойылды. Жазылу индексi: 76093

Қазақстан Республикасыңың Ақпарат және коммуникациялар министрлiгiнде 27.03.2018ж.

№16999-ж тiркеу куәлiгiмен тiркелген.

Ашық қолданудағы электрондық нұска: http://bulphysast.enu.kz/

Типографияның мекенжайы: 010008, Қазақстан, Нұр-Сұлтан қ., Қажымұқан к-сi, 12/1, 102 б., Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетi. Тел.: +7(7172)709-500 (iшкi 31-428)

(3)

Editor-in-Chief

Doctor of Phys.-Math. Sciences, Professor, ENU А.Т. Akilbekov (Kazakhstan)

Deputy Editor-in-Chief Giniyatova Sh.G., Candidate of Phys.-Math. Sciences, Assoc. Prof., ENU (Kazakhstan)

Editorial Board

Aryngazin A.К. Doctor of Phys.-Math. Sci., ENU (Kazakhstan) Aldongarov А.А. PhD, ENU (Kazakhstan)

Balapanov М.Kh. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., BashSU (Russia) Bakhtizin R.Z. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., BashSU (Russia) Dauletbekova А.К. Candidate of Phys.-Math. Sci., PhD, ENU (Kazakhstan) Hoshi M. PhD, Prof., Kyushu University (Japan)

Kadyrzhanov К.К. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., ENU (Kazakhstan) Кainarbay А.Zh. Candidate of Phys.-Math. Sci., ENU (Kazakhstan) Kuterbekov К.А. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., ENU (Kazakhstan) Lushchik А. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., University of Tartu (Esto-

nia)

Morzabayev А.К. Candidate of Phys.-Math. Sci., ENU (Kazakhstan) Myrzakulov R.К. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., ENU (Kazakhstan) Nurakhmetov Т.N. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., ENU (Kazakhstan) Sautbekov S.S. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., KazNU (Kazakhstan) Salikhodzha Z. M Candidate of Phys.-Math. Sci., ENU (Kazakhstan) Tleukenov S.К. Doctor of Phys.-Math. Sci., Prof., ENU (Kazakhstan) Useinov А.B. PhD, ENU (Kazakhstan)

Yerzhanov К.К. Candidate of Phys.-Math. Sci., PhD, ENU (Kazakhstan) Zdorovets М. Candidate of Phys.-Math. Sci., ENU (Kazakhstan) Zhumadilov K.Sh. PhD, ENU (Kazakhstan)

Editorial address: L.N. Gumilyov Eurasian National University, 2, Satpayev str., of. 402, Nur-Sultan, Kazakhstan 010008

Теl.: +7(7172) 709-500 (ext. 31-428) E-mail: vest_phys@enu.kz

Responsible secretary, computer layout: G. Mendybayeva Bulletin of L.N. Gumilyov Eurasian National University.

PHYSICS. ASTRONOMY Series

Owner: Republican State Enterprise in the capacity of economic conduct "L.N. Gumilyov Eurasian National University" Ministry of Education and Science of the Republic of Kazakhstan

Periodicity: 4 times a year. Signed in print 05.06.2020. Subscription index: 76093

Registered by the Ministry of Information and Communication of the Republic of Kazakhstan.

Registration certificate №16999-ж from 27.03.2018.

Available at: http: //bulphysast.enu.kz/

Address of printing house: L.N. Gumilyov Eurasian National University, 12/1 Kazhimukan str., Nur-Sultan,Kazakhstan 010008;

tel.:+7(7172) 709-500 (ext. 31-428)

(4)

Главный редактор:

доктор ф.-м.н.,профессор

А.Т. Акилбеков, ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан)

Зам. главного редактора Ш.Г. Гиниятова к.ф.-м.н., доцент ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Редакционная коллегия

Арынгазин А.К. д.ф.-м.н., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Алдонгаров А.А. PhD, ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Балапанов М.Х. д.ф.-м.н., проф., БашГУ (Россия)

Бахтизин Р.З. д.ф.-м.н., проф., БашГУ (Россия)

Даулетбекова А.К. д.ф.-м.н., PhD, ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Ержанов К.К. к.ф.-м.н., PhD, ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Жумадилов К.Ш. PhD, ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан)

Здоровец М. к.ф-м.н., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан)

Кадыржанов К.К. д.ф.-м.н., проф., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Кайнарбай А.Ж. к.ф.-м.н., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан)

Кутербеков К.А. д.ф.-м.н., проф., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Лущик А.Ч. д.ф.-м.н., проф., Тартуский университет (Эстония) Морзабаев А.К. д.ф.-м.н., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан)

Мырзакулов Р.К. д.ф.-м.н., проф., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Нурахметов Т.Н. д.ф.-м.н., проф., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Сауытбеков С.С. д.ф.-м.н., проф., КазНУ им. аль-Фараби (Казахстан) Салиходжа Ж.М к.ф.-м.н., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан)

Тлеукенов С.К. д.ф.-м.н., проф., ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан) Усеинов А.Б. PhD, ЕНУ им. Л.Н. Гумилева (Казахстан)

Хоши М. PhD, проф., Коши университет (Япония)

Адрес редакции: 010008, Казахстан, г. Нур-Султан, ул. Сатпаева, 2, каб. 402, Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева.

Тел.: (7172) 709-500 (вн. 31-428) E-mail: vest_phys@enu.kz

Ответственный секретарь, компьютерная верстка: Г. Мендыбаева

Вестник Евразийского национального университета имени Л.Н. Гумилева.

Серия ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ

Собственник РГП на ПХВ "Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева" МОН РК Периодичность: 4 раза в год. Подписано в печать 05.06.2020 г. Подписной индекс: 76093

Зарегистрирован Министерством информации и коммуникаций Республики Казахстан.

Регистрационное свидетельство №16999-ж от 27.03.2018г.

Электронная версия в открытом доступе: http: //bulphysast.enu.kz/

Адрес типографии: 010008, Казахстан, г. Нур-Султан, ул. Кажимукана, 12/1, Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева. тел.: +7(7172)709-500 (вн. 31-428)

(5)

Л.Н. ГУМИЛЕВ АТЫНДАҒЫ ЕУРАЗИЯ ҰЛТТЫҚ УНИВЕРСИТЕТIНIҢ ХАБАРШЫСЫ. ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ сериясы

№2(131)/2020

МАЗМҰНЫ

Калманова Д.М., Сарбаева Д.С. Наноқұрылымды электродты органикалық күнэлементтерi құрылғысының сипаттамаларына электрлiк әсер ету

8 Ерғалиұлы Ғ., Морзабаев А.К., Амангелдi Н., Бозтосун И., Мәуей Б., Болат Н., Тәңiрберген А.

¹²

С ядросынан

¹⁰

В серпiмдi шашырауы кезiндегi ауысым механизмдерiнiң үлесiн зерттеу

17 Ергалиев Д.С., Каримов С.Г., Советкажиев А.Е., Алимов Д.А., Куандыкова А.Г., Социалов Р.С. Ғаламдық навигациялық спутниктiк жүйе сигналдарының модуляцияларын зерттеу

23 Базарбек А.Б., Инербаев Т.М., Сагатов Н.Е., Акилбеков А.Т. Жер ядросының жоғары температуралары мен қысымдарындағы темiр фосфидтерiнiң жай- күйi теңдеулерiнiң алғашқы реттi есептерi

35 Жакупова А.Е., Ондрисов Д.Б., Канафин М.Ж., Аукатова Н.К., Құрманбек Б.Н. Зымыран- ғарыш техникасының бөлшектерiн өндiруде абразивтi өңдеу проблемасын шешу

42 Ашуров А.Е., Бақыт М.А. Дифференциалдық көтерудi және тасуды қолдану арқылы жерсерiктердiң топтық ұшуын басқаруды зерттеу

50 Нурахметов Т.Н., Салиходжа Ж.М., Доломатов М.Ю., Жунусбеков А.М.,

Кайнарбай А.Ж., Дауренбеков Д.Х., Садыкова Б.М., Жаңылысов К.Б., Юсупбекова Б.Н.

K

2

SO

4

және K

2

SO

4

-Tl кристалдарындағы меншiктi сәулеленудiң пайда болуы мен қармау орталықтарының түзiлуi

59 Баубекова Г.М., Асылбаев Р.Н., Гиниятова Ш.Г. MgO кристалдарының жылдам ауыр иондармен радиациялық зақымдануы

69 Мұстафинов Е.Қ., Рамазанова Ж.М. «Бәйтерек» жаңа Ғарыш зымыран кешенiн әзiрлеу мәселелерi

78 Ерғалиұлы Ғ., Амангелдi Н., Мәуей Б., Солдатхан Д. Энергиясы 12-30 МэВ аралығындағы

9

Ве ядросының

²⁸

Si ядросынан серпiмдi шашырауын оптикалық модель негiзiнде талдау

87 Джансейтов Д.М., Буртебаев Н., Алимов Д., Насурлла М., Мауей Б., Валиолда Д.С., Аймаганбетов А., Ерғалиұлы Ғ. Төмен энергияда дейтрондардың

¹³

С ядросынан серпiмдi шашырауын эксперименттiк зерттеу

92 Сейтбаев А., Скуратов В., Акилбеков А., Даулетбекова А., Здоровец М. LiF кристалы ионолюминесценциясының кинетикасы

99

5

(6)

BULLETIN OF L.N. GUMILYOV EURASIAN NATIONAL UNIVERSITY. PHYSICS.

ASTRONOMY SERIES

№2(131)/2020

Kalmanova D.M., Sarbayeva D.S. Influence of electrical impacts on the device characteristics of organic solar cells with a nanostructure electrode

8 Yergaliuly G., Morzabayev A.K., Amangeldi N., Boztosun I., Mauyey B., Bolat N., Tangirbergen A. Investigation of the contribution of exchange mechanisms to the elastic scattering

¹⁰

B on the nucleus

¹²

C

17 Yergaliyev D.S., Mukanova K.K., Sovetkazhiev A.Y., Alimov D.A., Kuandykova A.G., Socialov R.S. Research of Signal Modulations of the Global Navigation Satellite System

23 Bazarbek A.B., Inerbaev T.M., Sagatov N.E., Akilbekov A.T. First principle calculations of iron phosphide state equations at high temperatures and pressures of the Earth’s core

35 Zhakupova A.Y., Ondrisov D.B., KanafinM.Z., Aukatova N.K., Kurmanbek B.N. Solving the Problem of Abrasive Machining in the Production of Rocket and Space Technology Details

42 Ashurov A.E., Bakyt M.A. Study of satellite group flight control using differential lift and transfer 50 Nurakhmetov T.N., Salikhodzha Zh.M., Dolomatov M.Y., Zhunusbekov A.M.,

Kainarbay A.Z., Daurenbekov D.H., Sadykova B.M., Zhangylyssov K.B., Yussupbekova B.N. The creation of the intrinsic emission spectrum and the formation of capture centers in K

2

SO

4

and K

2

SO

4

-Tl crystals

59 Baubekova G.M., Asylbaev R.N., Giniyatova Sh. Radiation Damage caused by swift heavy ions in MgO crystals

69 Mustafinov Е.K., Ramazanova Zh.M. Development issues of a new SRC "Baiterek" 78 Yergaliuly G., Amangeldi N., Mauyey B., Soldatkhan D. Analysis of elastic scattering of the

⁹

Ве

nucleus from

²⁸

Si in the energy range of 12-30 MeV in the framework of an optical model

87 Janseitov D.M., Burtebayev N., Alimov D., Nassurlla M., Mauyey B., Valiolda D.S., Aimaganbetov A., Yergaliuly G. Experimental study of deuterons elastic scattering from

¹³

C at low energies

92 Seitbayev A., Skuratov V., Аkilbekov A., Dauletbekova A., Zdorovets M. Kinetics of LiF crystals ion luminescence

99

6

(7)

ВЕСТНИК ЕВРАЗИЙСКОГО НАЦИОНАЛЬНОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ Л.Н.ГУМИЛЕВА. Серия ФИЗИКА. АСТРОНОМИЯ

№2(131)/2020

СОДЕРЖАНИЕ

Калманова Д.М., Сарбаева Д.С. Влияние электрических воздействий на характеристики устройства органических солнечных элементов с наноструктурированным электродом

8 Ерғалиұлы Ғ., Морзабаев А.К., Амангелдi Н., Бозтосун И., Мәуей Б., Болат Н., Тәңiрберген А. Исследование вклада обменных механизмов в упругое рассеяние

¹⁰

B на ядре

¹²

С

17 Ергалиев Д.С., Каримов С.Г., Советкажиев А.Е., Алимов Д.А., Куандыкова А.Г., Социалов Р.С. Исследование модуляций сигналов Глобальной навигационной спутниковой системы

23 Базарбек А.Б., Инербаев Т.М., Сагатов Н.Е., Акилбеков А.Т. Первопринципные расчеты уравнений состояния фосфидов железа при высоких температурах и давлениях ядра Земли

35 Жакупова А.Е., Ондрисов Д.Б., Канафин М.Ж., Аукатова Н.К., Курманбек Б.Н. Решение проблемы абразивной обработки при производстве деталей ракетно-космической техники

42 Ашуров А.Е., Бақыт М.А. Исследование управления спутниковым групповым полетом с использованием дифференциального подъема и перетаскивания

50 Нурахметов Т.Н., Салиходжа Ж.М., Доломатов М.Ю., Жунусбеков А.М.,

Кайнарбай А.Ж., Дауренбеков Д.Х., Садыкова Б.М., Жанылысов К.Б., Юсупбекова Б.Н. Развитие низкотемпературных твердооксидных топливных элементов на основе тонкопленочных материалов

59 Баубекова Г.М., Асылбаев Р.Н., Гиниятова Ш.Г. Радиационные повреждения, вызванные быстрыми тяжелыми ионами кристаллов MgO

69 Мустафинов E.K., Рамазанова Ж.М. Проблемы развития нового КРК «Байтерек» 78 Ергалиулы Г., Амангелды Н., Мауей Б., Солдатхан Д. Анализ упругого рассеяния ядра

⁹

Be

на

²⁸

Si в интервале энергий 12-30 МэВ в рамках оптической модели

87 Джансейтов Д.М., Буртебаев Н., Алимов Д., Насурлла М., Мәуей Б.,

Валиолда Д.С., Аймаганбетов А., Ерғалиұлы Ғ. Экспериментальное исследование упругого рассеяния дейтронов на ядре

¹³

С при низких энергиях

92 Сейтбаев А., Скуратов В., Акилбеков А., Даулетбекова А., Здоровец М. Кинетика ионолюминесценции кристаллов LiF

99

7

(8)

Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетiнiң хабаршысы. Физика. Астрономия сериясы, 2020, том 131, №2, 69-77 беттер

http://bulphysast.enu.kz, E-mail: vest_phys@enu.kz МРНТИ : 29.19.11

Г.М. Баубекова

¹

, Р.Н. Асылбаев

²

, Ш.Г. Гиниятова

¹

1

Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева, Нур-Султан, Казахстан

2

Павлодарский государственный педагогический университет, Павлодар, Казахстан (E-mail: guldar_87@mail.ru)

Радиационные повреждения, вызванные быстрыми тяжелыми ионами кристаллов MgO

¹

Аннотация: по спектрам радиационно-индуцированного оптического поглощения исследовано накопление структурных дефектов F-типа для монокристаллов MgO, облученных при комнатной температуре ионами

¹³²

Xe с энергией 0.23 ГэВ в диапазоне флюенсов Ф = 5x10

¹¹

– 3.3x10

¹⁴

ион/см

²

. По формуле Смакулы были оценены концентрации дефектов F- типа в кристаллах MgO, а также их зависимость от флюенса облучения. Измерены также спектры возбуждения для люминесценции F

⁺

и F-центров. Проведен анализ радиационно- индуцированных изменений микромеханических свойств облученных образцов, а также зависимости профиля твердости от глубины в кристаллах MgO с потерями энергии ионов Xe.

Рассмотрен совместный вклад механизмов ионизации и упругого соударения в формировании центров F-типа и сложных дефектов при облучении кристаллов MgO быстрыми тяжелыми ионами.

Ключевые слова: MgO, ионное облучение, быстрые тяжелые ионы, дефектообразование, люминесценция, упрочнение, оптическое поглощение.

DOI: https://doi.org/10.32523/2616-6836-2020-131-2-69-77

Поступила:03.04.2020 /Доработана:24.04.2020 /Допущена к опубликованию:29.05.2020

Введение. В настоящее время бинарные и более сложные широкозонные оксиды активно используются для различных технических применений. Данные материалы работают в высокой температурной области, могут быть легированы многими примесными ионами и доступны в виде монокристаллов, керамик, тонких пленок, нитевидных кристаллов и т.д. Широкозонные оксиды металлов применяется в качестве активных лазерных сред, люминофоров, материалов для плазменных дисплеев, оптических окон и волокон, сцинтилляторов, дозиметрических материалов, конструкционных и диагностических материалов для ядерной и термоядерной энергетики (см., например, [1,2]).

Согласно современным представлениям, именно накопление стабильных (долгоживущих) структурных дефектов, междоузельно-вакансионных пар Френкеля и более сложных дефектов решетки определяет радиационное повреждение и влияет на функциональность различных оптических материалов при определенных условиях облучения (тип, доза, температура и т. д.).

Поэтому исследование/выяснение механизмов возникновения дефектов различными типами и дозами облучения, а также дальнейшего термического отжига структурных повреждений в широкозонных материалах имеет особое значение.

Целью настоящего исследования является изучение и анализ новых экспериментальных данных о создании структурных дефектов в кристаллах MgO при их облучении тяжелыми высокоэнергетичными ионами

¹³²

Xe в широком диапазоне флюенсов.

Образцы и экспериментальные методы. Использованные в наших исследованиях беспримесные кристаллы MgO были выращены в лаборатории физики ионных кристаллов Института физики Тартуского университета (Эстония). Кристаллы выращивались из

1

Работа выполнена в рамках грантового проекта № AP05134257 «In-situ исследования структуры и механических напряжений в процессе облучения быстрыми тяжелыми ионами методами высокоэнергетической ионолюминесценции».

69

(9)

Радиационные повреждения, вызванные быстрыми тяжелыми ионами кристаллов MgO

расплава порошков MgO методом дуговой плавки с последующей двух - или трехкратной перекристаллизацией.

При выращивании кристаллов MgO максимально возможной чистоты (стартовое сырье имело степень чистоты 99.99 %) особое внимание уделялось удалению из кристаллов ионов ОН

⁻

и Fe

³⁺

. Для оценки равномерности распределения ионов Fe

³⁺

в исследуемых кристаллах был проведен специальный эксперимент по измерению оптического поглощения на разных участках одного и того же образца. Для данного эксперимента был выбран образец в виде пластины размерами 6x7 мм. Измерение спектров поглощения выполнялось для четырех равноудалённых друг от друга на 2 мм точек с площадями 1.5x1.5 мм. На рисунке 1 представлены спектры поглощения кристалла MgO в разных точках (кривые 1, 2 и 3). Спектры поглощения, измеренные в двух точках, совпали. Также на рисунке представлены разности этих спектров. Кривая 4 демонстрирует разность между спектрами 2 и 1, а кривая 5 – разность между спектрами 3 и 1. Из ранних исследований известно, что полосы поглощения, связанные с примесями трёхвалентного железа, располагаются около 4.3 и 5.7 эВ [3-5]. Из рисунка 1 можно заметить, что полоса около 5.71 эВ имеет различные оптические плотности поглощения для отдельных участков кристалла (кривые – 1, 2 и 3). Разностные спектры демонстрируют близко совпадающие для различных точек пластины значения концентраций ионов Fe

³⁺

, ответственных за полосу поглощения при 4.26 эВ. В то же время концентрации ионов Fe

³⁺

, ответственных за полосу поглощения при 5.71 эВ, существенно различаются.

Таким образом, эксперимент показал, что полосы при 4.26 и 5.71 эВ соответствуют различным местам кристаллической решётки MgO, связанным с присутствием ионов трёхвалентного железа.

Рисунок 1– Спектры оптического поглощения необлученного кристалла MgO в разных точках образца (1, 2 и 3) и их разности (4 и 5)

Основная часть экспериментов была выполнена с использованием кристаллов, выколотых по направлению их роста и приготовленных в виде пластинок размерами ∼ 5x5 мм и толщиной ∼ 0.7–1.6 мм. Поверхности кристаллов не подвергались шлифовке или полировке.

ISSN 2616-6836 Л.Н. Гумилев атындағы ЕҰУ Хабаршысы. Физика. Астрономия сериясы, 2020, Том 131, №2 Вестник ЕНУ им. Л.Н. Гумилева. Физика. Астрономия, 2020, Том 131, №2

70

(10)

Г.М. Баубекова, Р.Н. Асылбаев, Ш.Г. Гиниятова

В использованных монокристаллах MgO концентрации ионов железа (Fe

³⁺

) составили около 3 ppm, а ионов ОН

⁻

– около 0.1 ppm.

Кристаллы MgO были облучены на экспериментальном канале циклотрона DC-60 (Астана, Казахстан), предназначенном для проведения работ в области физики твердого тела. Диапазон ускоряемых ионов от

¹³²

Li до

¹³²

Xe , энергии варьируются от 0.35 до 1.75 МэВ/нуклон, а диапазон ускоряемых ионов по отношению массы к заряду – 4.3-10 [6]. Были использованы следующие параметры облучения: ион

¹³²

Xe с энергией 1.75 МэВ/нуклон (что соответствует полной энергии иона 231 МэВ), зарядом 22+ и плотностью тока облучения 10 нА/см

²

в диапазоне флюенсов 5x10

¹¹

– 3.3x10

¹⁴

ион/см

²

.

Спектры оптического поглощения измерялись в области 1.5-6.5 эВ с использованием двухлучевого спектрофотометра JASCO V-660.

Теоретические расчеты были проведены в программе SRIM [7], предназначенной для моделирования процессов дефектообразования в кристаллах при облучении ионами.

Радиационно-индуцированные изменения микромеханических свойств были исследованы с помощью наноиндентора G200 (Agilent, США), с алмазными наконечниками Berkovich и Vick- ers. Спектры возбуждения для различных свечений кристаллов MgO были измерены при 79 K в вакуумном азотном криостате (JANIS) с использованием компьютеризированной установки, состоящей из ксеноновой лампы LOT-ORIEL (150 Вт), двух монохроматоров (MDR-3 и ORIEL CS130 1/8m) и системы счета фотонов Hamamatsu H8259-01 со спектральным диапазоном от 185 до 850 нм.

Результаты и обсуждение. При облучении кристалла высокоэнергетическими ионами бомбардирующий ион теряет свою энергию за счет ядерных и электронных потерь. Потери энергии вдоль пробега иона описываются функцией dE/dx. С помощью программы SRIM были определены ядерные и ионизационные потери энергии и средний пробег ионов

¹³²

Xe в кристалле MgO. Зависимость энергетических потерь от пробега иона в кристалле MgO представлена на рисунке 2. Согласно расчетам SRIM, средний пробег ионов

¹³²

Xe с энергией 0.230 ГэВ в кристаллах MgO составляет около 14 мкм. Рассчитанные ионизационные потери энергии в большей части ионного трека намного превышают ядерные потери энергии.

Профили твердости от глубины были исследованы на поверхностях, подготовленных путем скола образцов вдоль направления ионного пучка. Измерения проводились на постоянной глубине вдавливания (150 нм). На рисунке 3 приведены изменения твердости вдоль пути иона

¹³²

Xe в кристаллах MgO, облученных разными флюенсами. Твёрдость возрастает с увеличением флюенса, и наблюдается насыщение до 15.6 гПа при флюенсе 10

¹⁴

Xe/см

²

(эффект упрочнения ∆H/H

0

∼ 50% ).

Изменение твердости на начальном участке пробега иона коррелирует с электронными потерями энергии вдоль пробега. Следует учитывать, что на данном участке (до 5 мкм) электронные потери превышают порог 22 кэВ/нм, что соответствует образованию латентных треков и созданию предельных возбуждений [8]. Исключение составляет конечная область пробега, где твердость при высоком флюенсе достигает максимума. В этой области электронные потери энергии ионов уменьшаются до малых значений, в то время как ядерные потери энергии достигают максимума и доминируют в создании радиационных дефектов.

В качестве основной причины упрочнения рассматриваются ионно-индуцированные сложные дефекты, в том числе дислокации и комплексные дефекты [9]. При флюенсе Ф < 10

¹²

ион/см

²

не наблюдается никакого вклада ядерного механизма к упрочнению кристалла.

Сравнение данных ионно-индуцированного упрочнения для кристаллов различной степени чистоты показывает аналогичный эффект как для монокристаллов MgO высокой чистоты (эффект упрочнения ∼ 45% ), так и для коммерческих кристаллов от различных поставщиков (например, образцы компании MTI с чистотой 99.85 и основными примесями Ca (0.13 %), Fe и Cr), облученных ионами Kr c энергией 150 МэВ (эффект упрочнения ∼ 40% ) [9].

Результаты позволяют сделать вывод о том, что как электронные, так и ядерные потери ионов

¹³²

Xe способствуют не только созданию центров окраски, но и созданию агрегатов дефектов и более сложных дефектов.

ISSN 2616-6836 Bulletin of L.N. Gumilyov ENU. PHYSICS. ASTRONOMY Series, 2020, Vol. 131, №2 71

(11)

Рисунок 2– Потери энергии вдоль пути ионов ¹³²Xe с энергией 0.230 ГэВ в MgO

Рисунок 3– Изменение твердости вдоль пути ионов ¹³²Xe с энергией 0.230 ГэВ с разными флюенсами в MgO

На рисунке 4 показан набор спектров радиационно-индуцированного оптического поглощения (РИОП) кристаллов MgO, облученных ионами

¹³²

Xe с энергией 0.23 ГэВ с девятью различными флюенсами в диапазоне 5x10

¹¹

– 3.3x10

¹⁴

ион/см

²

. Спектры содержат несколько ярко выраженных широких полос с максимумами при 5.0, 3.48 и 2.16 эВ.

72

(12)

Неэлементарная полоса около 5 эВ представляет собой перекрытие двух полос с максимумами при 5.03 и 4.92 эВ, приписываемыми к так называемым F и F

⁺

центрам (кислородные вакансии с двумя и одним захваченными электронами соответственно). Наиболее простой агрегат F

2

- центр (два рядом расположенных F-центра) ответственен за полосу при 3.48 эВ, в то время как комплексная полоса при ∼ 2.1 эВ относится к структурным дефектам. Полосы, связанные с примесями железа, имеют максимумы при 4.26 и 5.74 эВ.

Для анализа зависимости концентрации радиационных дефектов F-типа от флюенса облучения спектры РИОП кристаллов MgO, облученных девятью разными флюенсами, были аппроксимированы путем разложения на гауссовские компоненты. Во вставке рисунка 4 показано разложение спектра РИОП для образца, облученного флюенсом 6.7x10

¹²

Xe/см

²

. Максимумы оптических плотностей I

max

соответствующих гауссовских компонент и их площади (интегралы) S могут быть приняты в качестве меры концентрации F

⁺

и F центров.

Для вычисления концентрации радиационных дефектов F-типа в кристаллах MgO воспользуемся хорошо известной формулой Смакулы-Декстера:

N [cm

⁻³

] = 0.87 × 10

¹⁷

n(n

²

+2)

⁻²

f

⁻¹

α

_F

W

_1/2

(1) где n – показатель преломления кристалла, W

1/2

– полуширина полосы поглощения, f – сила осциллятора, α

F

– коэффициент поглощения в максимуме полосы, определяемый по формуле

α

F

= 2.303 ∗ I

_max

d (2)

где d – толщина облученного слоя, равная в данном случае среднему пробегу иона R в кристалле.

Рисунок 4 – Спектры РИОП монокристаллов MgO, облученных при комнатной температуре ионами ¹³²Xe с энергией 0.23 ГэВ до разных флюенсов. На вставке представлено разложение на гауссовские компоненты спектра РИОП кристалла MgO (Ф=6.7x10¹² Xe/см²). ◦ ◦ ◦ - экспериментальная кривая. Все спектры измерены при комнатной температуре

В таблице 1 сгруппированы основные параметры F

⁺

и F- центров, а также приведены концентрации дефектов F-типа для кристалла MgO, облученного ионами

¹³²

Xe с энергией 0.23 ГэВ с девятью различными флюенсами в диапазоне Ф = 5x10

¹¹

– 3.3x10

¹⁴

ион/см

²

.

На рисунке 5 показаны зависимости концентрации F

⁺

и F- центров от флюенса облучения.

Концентрации F

⁺

и F-центров непрерывно возрастают вплоть до флюенса 3.3x10

¹⁴

Xe/см

²

(наш экспериментальный предел) без каких-либо признаков насыщения. Дозовая зависимость концентрации радиационных дефектов содержит приблизительно линейную область выше Ф

= 3.3x10

¹³

Xe/см

²

(более очевидно в случае линейной шкалы абсцисс), в то время как

(13)

значительно более высокая скорость накопления дефектов характерна для области низких флюенсов облучения. Общепризнано, что быстро растущая нелинейная составляющая дозовой зависимости ниже Ф = 3.3x10

¹³

Xe/см

²

может быть объяснена частичным образованием центров F-типа за счет кислородных вакансий, существовавших в кристалле до облучения [10, 11]. В то же время вторая нелинейная стадия накопления (стадия насыщения) дефектов, возникающая предположительно из-за агрегации одиночных центров F-типа (например, образование F

2

или более сложных дефектов), не наблюдается даже при максимальном флюенсе Ф =3.3x10

¹⁴

Xe/см

²

в рамках данного эксперимента.

Таблица 1 - Параметры центров окраски в кристаллах MgO, облученных ионами

¹³²

Xe с энергией 0.23 ГэВ в диапазоне флюенсов Ф = 5x10

¹¹

– 3.3x10

¹⁴

ион/см

²

Рисунок 5– Зависимость концентрации F⁺ и F- центров от флюенса ионного облучения

Как известно из нашей предыдущей работы [12], спектр катодолюминесценции кристалла MgO, облученного ионами

¹³²

Xe , содержит полосы свечения F

⁺

и F-центров, максимумы которых расположены при 3.15 и 2.4 эВ соответственно. Для данных полос люминесценции

74

(14)

были измерены спектры возбуждения в кристалле MgO, облученного ионами

¹³²

Xe с флюенсом 10

¹²

ион/см

²

. Как видно из рисунка 6, в спектре возбуждения для свечения 3.15 эВ видна четкая полоса с максимумом около 4.8 эВ (кривая 1) и для свечения 2.4 эВ – менее выраженная полоса, имеющая максимум при 4.7 эВ (кривая 2). Мы предполагаем, что эти полосы принадлежат F

⁺

и F центрам соответственно. Для сравнения также приведен спектр поглощения этого же кристалла при комнатной температуре (кривая 3).

Рисунок 6– Спектры возбуждения для F⁺ и F-центров кристалла MgO, облученного ионами ¹³²Xe с флюенсом 10¹² ион/см²: кривая 1 – спектр возбуждения свечения при 3.15 эВ, кривая 2 – спектр возбуждения свечения при 2.4 эВ, кривая 3 – спектр оптического поглощения. Спектры возбуждения измерялись при температуре 79 К, спектр оптического поглощения измерялся при комнатной температуре

Заключение. В монокристаллах MgO высокой чистоты число радиационно- индуцированных F

⁺

и F-центров, определяемых по спектрам радиационно-индуцированного оптического поглощения, непрерывно увеличивается с ростом флюенса облучения в две стадии с разными скоростями накопления. Глубинные профили упрочнения в кристаллах MgO коррелируют с потерями энергии ионов Xe, а также подтверждают совместный вклад механизмов ионизации и упругого столкновения в образование протяженных дефектов.

Полосы с максимумом около 4.8 и 4.7 эВ, обнаруженные в спектре возбуждения, принадлежат F

⁺

и F центрам соответственно.

Список литературы

1 Lushchik Ch., Lushchik A., Karner T., Kirm M., Dolgov S. Relaxation, self-trapping and decay of electronic excitations in wide-gap oxides // Russ. Phys. J. (USA). – 2000. – Vol. 43. – №3. – P. 171–180.

2 Zimmerer G. Luminescence spectroscopy with synchrotron radiation: history, highlights, future // J. Lumin.

–2006. –Vol.119. - №120. – P. 1–7.

3 Szczerba J., Prorok R., Stoch P., Sniezek E., Jastrzebska I. Position of Fe ions in MgO crystalline structure //

Nukleonika. – 2015. – Vol. 60. – № 1. – P. 143–145.

4 Modine F.A., Sonder E., Weeks R.A. Determination of the Fe

²⁺

and Fe

³⁺

concentration in MgO // Journal of Applied Physics. – 1977. – Vol. 48. – P. 3514-3518.

5 Dolgov S.A., Karner T., Lushchik A., Maaroos A., Nakonechnyi S., E. Shablonin. Trapped Hole Centers in MgO Single Crystals // Physics of the Solid State. – 2011. – Vol. 53. – № 6. – P. 1244–1252.

6 Zdorovets M., Ivanov I., Koloberdin M., Kozin S., Alexandrenko V., Sambaev E., Kurakhmedov A., Ryskulov A.

Accelerator complex based on DC-60 cyclotron // Proceedings of RuPAC. – 2014. – Vol. 13. – P. 287-289.

(15)

7 Ziegler J.F., Biersack J.Р., Ziegler M.D. SRIM – The Stopping and Ranges of Ions in Solids. New York: – Lulu Press, 2008. – 1-15 p.

8 Beranger M., Thevenard P., Brenier R., Balanzat E. Defect creation by electronic processes in MgO bombarded with GeV heavy ions // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 1996. – Vol. 396. – P. 365-370.

9 Zabels К., Manika I., Schwartz K., Maniks J., Grants R., Sorokin M., Zdorovets M. Depth profiles of indentation hardness and dislocation mobility in MgO single crystals irradiated with swift

⁸⁴Kr

and

¹⁴N

ions // Appl. Phys.

A. – 2015. – Vol. 120. – P. 167-173.

10 Levy P.W. Radiation damage studies on non-metals utilizing measurements made during irradiation // J. Phys.

Chem. Solids. – 1991. – Vol. 53. – Р. 319–349.

11 Feldbach E., Kudryavtseva I., Mizohata K., Prieditis G., Raisanen J., Shablonin E., Lushchik A. Optical charac- teristics of virgin and proton-irradiated ceramics of magnesium aluminate spinel // Opt. Mater. – 2019. – Vol. 96.

– P. 109308.

12 Baubekova G., Akilbekov A., Feldbach E., Grants R., Manika I., Popov A.I., Schwartz K., Vasil’chenko E., Zdorovets M., Lushchik A. Accumulation of radiation defects and modification of micromechanical properties under MgO crystal irradiation with swift

¹³²Xe

ions // Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B. – 2020.

– Vol. 463. – P. 50-54.

Г.М. Баубекова¹, Р.Н. Асылбаев², Ш.Г. Гиниятова¹

1Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетi, Нұр-Сұлтан, Қазақстан

2Павлодар мемлекеттiк педагогикалық университетi, Павлодар, Қазақстан MgO кристалдарының жылдам ауыр иондармен радиациялық зақымдануы

Аннотация. Ф = 5x10¹¹ – 3.3x10¹⁴ ион/см² флюенстер диапазонында, энергиясы 0.23 ГэВ ¹³²Xe иондарымен бөлме температурасында сәулеленген MgO кристалдары үшiн F-типтi құрұлымдық дефектiлер жиынтығын радиациялық-индуцирленген оптикалық жұтылу спектрлерi арқылы зерттеу. Смакула формуласы бойынша MgO кристалдарындағы F-типтi ақаулар концентрациясы және олардың сәулелену флюенсiне тәуелдiлiгi бағаланды.

F⁺ и F-центрлер люминесценциясы үшiн қоздыру спектрi бақыланды. Сәулеленген үлгiлердiң микромеханикалық құрұлымының радиациялық-индуцирленген өзгерiсiне, және де Xe иондарының шығындалу энергиялары арқылы MgO кристалдарының қаттылығының иондардың өту тереңдiлiгi арақатынасына талдау жасалынды. MgO кристалдарын жылдам ауыр иондармен сәулелендiруде F-типтi және күрделi ақаулар түзiлудегi ионизациялану мен серпiмдi соқтығысу механизмдерынiң бiрлескен үлестерi қарастырылды.

Түйiн сөздер: MgO, ионды сәулелену, жылдам ауыр иондар, ақау түзiлу, люминесценция, берiктiк, оптикалық жұтылу.

G.M. Baubekova¹, R.N. Asylbaev², Sh. Giniyatova¹

1L.N. Gumilyov Eurasian National University, Nur-Sultan, Kazakhstan

2Pavlodar State Pedagogical University, Pavlodar, Kazakhstan Radiation Damage caused by swift heavy ions in MgO crystals

Abstract.The accumulation of structural defects F-type was studied from the spectra of radiation-induced optical absorption for MgO single crystal irradiated by ¹³²Xe ions with fluency of F = 5x10¹¹ – 3.3x10¹⁴ ион/см². The concentration of F-type defects in MgO crystals were estimated by means of the Smakula formula. The excitation spectra for the luminescence of F⁺ and F centers were also measured. The analysis of ion-induced changes of micro-mechanical properties of the same samples have been performed; the depth profiles of hardening in MgO crystals correlate with the energy loss of Xe ions.

A joint contribution of Ionization and elastic collision mechanisms are considered in the formation of F-type centers and extended defects under MgO irradiation with swift heavy ions.

Keywords: MgO, ion irradiation, swift heavy ions, defect formation, luminescence, hardening, optical absorption.

References

1 Lushchik Ch., Lushchik A., Karner T., Kirm M., Dolgov S. Relaxation, self-trapping and decay of electronic excitations in wide-gap oxides, Russ. Phys. J. (USA), 43(3), 171–180 (2000).

2 Zimmerer G. Luminescence spectroscopy with synchrotron radiation: history, highlights, future, J. Lumin, 119(120), 1–7 (2006).

3 Szczerba J., Prorok R., Stoch P., Sniezek E., Jastrzebska I. Position of Fe ions in MgO crystalline structure, Nukleonika, 60(1), 143–145 (2015).

4 Modine F.A., Sonder E., Weeks R.A. Determination of the Fe

²⁺

and Fe

³⁺

concentration in MgO, Journal of Applied Physics, 48, 3514-3518 (1977).

5 Dolgov S.A., Karner T., Lushchik A., Maaroos A., Nakonechnyi S., E. Shablonin. Trapped–Hole Centers in MgO Single Crystals, Physics of the Solid State, 53(6), 1244–1252 (2011).

6 Zdorovets M., Ivanov I., Koloberdin M., Kozin S., Alexandrenko V., Sambaev E., Kurakhmedov A., Ryskulov A. Accelerator complex based on DC-60 cyclotron, Proceedings of RuPAC, 13, 287-289 (2014).

76

(16)

7 Ziegler J.F., Biersack J.Р., Ziegler M.D. SRIM – The Stopping and Ranges of Ions in Solids (New York: Lulu Press, 2008, 1-10 р.).

8 Beranger M., Thevenard P., Brenier R., Balanzat E. Defect creation by electronic processes in MgO bombarded with GeV heavy ions, Mat. Res. Soc. Symp. Proc, 396, 365-370 (1996).

9 Zabels К., Manika I., Schwartz K., Maniks J., Grants R., Sorokin M., Zdorovets M. Depth profiles of indentation hardness and dislocation mobility in MgO single crystals irradiated with swift

⁸⁴Kr

and

¹⁴N

ions, Appl. Phys.

A, 120, 167-173 (2015).

10 Levy P.W. Radiation damage studies on non-metals utilizing measurements made during irradiation, J. Phys.

Chem. Solids, 53, 319–349 (1991).

11 Feldbach E., Kudryavtseva I., Mizohata K., Prieditis G., Raisanen J., Shablonin E., Lushchik A. Optical characteristics of virgin and proton-irradiated ceramics of magnesium aluminate spinel, Opt. Mater, 96, 109308 (2019).

12 Baubekova G., Akilbekov A., Feldbach E., Grants R., Manika I., Popov A.I., Schwartz K., Vasil’chenko E., Zdorovets M., Lushchik A. Accumulation of radiation defects and modification of micromechanical properties under MgO crystal irradiation with swift

¹³²Xe

ions, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B, 463, 50-54 (2020).

Сведения об авторах:

Баубекова Г.М- докторант 3-го курса по специальности "6D072300-Техническая физика", Евразийский национальный университет имени Л.Н. Гумилева, физико-технический факультет, ул. Кажымукана, 13, Нур-Султан, Казахстан.

Асылбаев Р.Н. - PhD, доцент Высшей школы естествознания Павлодарского государственного педагогического университета, ул. Торайгырова, 58, Павлодар, Казахстан.

Гиниятова Ш.Г. - доцент, Евразийский национальный университет имени Л.Н.Гумилева, физико-технический факультет, ул. Кажымукана, 13, Нур-Султан, Казахстан.

Baubekova G.M.- PhD student, L.N. Gumilyov Eurasian National University, Kazhymukhan street, 13, Nur-Sultan, Kaza- khstan.

Asylbaev R.N.- PhD, Assistant Professor of High School of Natural Sciences of Pavlodar state Pedagogical University, Pavlodar, Kazakhstan.

Giniyatova Sh.G. - assistant, L.N. Gumilyov Eurasian National University, Kazhymukhan street, 13, Nur-Sultan, Kaza- khstan.

(17)

«Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетiнiң Хабаршысы. Физика. Астрономия сериясы» журналында мақала жариялау ережесi

Журнал редакциясы авторларға осы нұсқаулықпен толық танысып, журналға мақала әзiрлеу мен дайын мақаланы журналға жiберу кезiнде басшылыққа алуды ұсынады. Бұл нұсқаулық талаптарының орындалмауы сiздiң мақалаңыздың жариялануын кiдiртедi.

1.Журнал мақсаты.Физика мен астрономия салаларының теориялық және эксперементалды зерттелулерi бойынша мұқият тексеруден өткен ғылыми құндылығы бар мақалалар жариялау.

2. Баспаға (барлық жариялаушы авторлардың қол қойылған қағаз нұсқасы және электронды нұсқа) журналдың түпнұсқалы стильдiк файлының мiндеттi қолданысымен LaTeX баспа жүйесiнде дайындалған Tex- пен Pdf- файлындағы жұмыстар ұсынылады. Стильдiк файлдыbulphysast.enu.kz журнал сайтынан жүктеп алуға болады.

Сонымен қатар, автор(лар)iлеспе хатұсынуы керек.

3. Автордың қолжазбаны редакцияға жiберуi мақаланың Л.Н. Гумилев атындағы Еуразия ұлттық университетiнiң хабаршысында басуға келiсiмiн, шетел тiлiне аударылып қайта басылуына келiсiмiн бiлдiредi. Автор мақаланы редакцияға жiберу арқылы автор туралы мәлiметтiң дұрыстығына, мақала көшiрiлмегендiгiне (плагиаттың жоқтығына) және басқа да заңсыз көшiрмелердiң жоқтығына кепiлдеме бередi.

4.Мақаланың көлемi 18 беттен аспауға тиiс (6 беттен бастап).

ҒТАМРК http://grnti.ru/

Автор(лар)дың аты-жөнi

Мекеменiң толық атауы, қаласы, мемлекетi (егер авторлар әртүрлi мекемеде жұмыс жасайтын болса, онда әр автор мен оның жұмыс мекемесi қасында бiрдей белгi қойылу керек)

Автор(лар)дың Е-mail-ы Мақала атауы

Аңдатпа (100-200 сөз; күрделi формулаларсұзсыз, мақаланың атауын мейлiнше қайталамауы қажет; әдебиеттерге сiлтемелер болмауы қажет; мақаланың құрылысын (кiрiспе мақаланың мақсаты/ мiндеттерi /қарастырылып отырған сұрақтың тарихы /зерттеу /әдiстерi нәтижелер/талқылау, қорытынды) сақтай отырып, мақаланың қысқаша мазмұны берiлуi қажет).

Түйiн сөздер (6-8 сөз не сөз тiркесi. Түйiн сөздер мақала мазмұнын көрсетiп, мейлiнше мақала атауы мен аннотациядағы сөздердi қайталамай, мақала мазмұнындағы сөздердi қолдану қажет. Сонымен қатар, ақпараттық- iздестiру жүйелерiнде мақаланы жеңiл табуға мүмкiндiк беретiн ғылым салаларының терминдерiн қолдану қажет).

Негiзгi мәтiн мақаланың мақсаты/ мiндеттерi/ қарастырылып отырған сұрақтың тарихы, зерттеу әдiстерi, нәтижелер/талқылау, қорытынды бөлiмдерiн қамтуы қажет.

5. Таблица, суреттер – Жұмыстың мәтiнiнде кездесетiн таблицалар мәтiннiң iшiнде жеке нөмiрленiп, мәтiн көлемiнде сiлтемелер түрiнде көрсетiлуi керек. Суреттер мен графиктер PS, PDF, TIFF, GIF, JPEG, BMP, PCX форматындағы стандарттарға сай болуы керек. Нүктелiк суреттер кеңейтiлiмi 600 dpi кем болмауы қажет. Суреттердiң барлығы да айқын әрi нақты болуы керек.

Мақаладағыформулалартек мәтiнде оларға сiлтеме берiлсе ғана номерленедi.

Жалпы қолданыста бар аббревиатуралар мен қысқартулардан басқалары мiндеттi түрде алғаш қолданғанда түсiндiрiлуi берiлуi қажет.Қаржылай көмек туралыақпарат бiрiншi бетте көрсетiледi.

6. Жұмыста қолданылған әдебиеттер тек жұмыста сiлтеме жасалған түпнұсқалық көрсеткiшке сай (сiлтеме беру тәртiбiнде немесе ағылшын әлiпбиi тәртiбi негiзiнде толтырылады) болуы керек. Баспадан шықпаған жұмыстарға сiлтеме жасауға тұйым салынады.

Сiлтеменi беруде автор қолданған әдебиеттiң бетiнiң нөмiрiн көрсетпей, келесi нұсқаға сүйенiңiз дұрыс: тараудың номерi, бөлiмнiң номерi, тармақтың номерi, теораманың (лемма, ескерту, формуланың және т.б.) номерi көрсетiледi.

Мысалы: қараңыз [3; § 7, лемма 6]», «...қараңыз [2; 5 теорамадағы ескерту]». Бұл талап орындалмаған жағдайда мақаланы ағылшын тiлiне аударғанда сiлтемелерде қателiктер туындауы мүмкiн.

Әдебиеттер тiзiмiн рәсiмдеу мысалдары

1 Воронин С. М., Карацуба А. А. Дзета-функция Римана. –М: Физматлит, –1994, –376 стр. –кiтап

2 Баилов Е. А., Сихов М. Б., Темиргалиев Н. Об общем алгоритме численного интегрирования функций многих переменных // Журнал вычислительной математики и математической физики –2014. –Т.54. № 7. –С. 1059-1077. - мақала

3 Жубанышева А.Ж., Абикенова Ш. О нормах производных функций с нулевыми значениями заданного набора линейных функционалов и их применения к поперечниковым задачам // Функциональные пространства и теория приближения функций: Тезисы докладов Международной конференции, посвященной 110-летию со дня рождения академика С.М.Никольского, Москва, Россия, 2015. – Москва, 2015. –С.141-142. –конференция еңбектерi 4 Нуртазина К. Рыцарь математики и информатики. –Астана: Каз.правда, 2017. 19 апреля. –С.7. –газеттiк мақала 5 Кыров В.А., Михайличенко Г.Г. Аналитический метод вложения симплектической геометрии // Cибирские электронные математические известия –2017. –Т.14. –С.657-672. doi: 10.17377/semi.2017.14.057. – URL:

http://semr.math.nsc.ru/v14/p657-672.pdf. (дата обращения: 08.01.2017). -электронды журнал

7. Әдебиеттер тiзiмiнен соң автор өзiнiң библиографикалық мәлiметтерiн орыс және ағылшын тiлiнде (егер мақала қазақ тiлiнде орындалса), қазақ және ағылшын тiлiнде (егер мақала орыс тiлiнде орындалса), орыс және қазақ тiлiнде (егер мақала ағылшын тiлiнде орындалса) жазу қажет. Соңынан транслиттiк аударма мен ағылшын тiлiнде берiлген әдебиеттер тiзiмiнен соң әр автордың жеке мәлiметтерi (қазақ, орыс, ағылшын тiлдерiнде – ғылыми атағы, қызметтiк мекенжайы, телефоны, e-mail-ы) берiледi.

8. Редакцияға түскен мақала жабық (анонимдi) тексеруге жiберiледi. Барлық рецензиялар авторларға жiберiледi.

Автор (рецензент мақаланы түзетуге ұсыныс берген жағдайда) он күн аралығында қайта қарап, қолжазбаның түзетiлген нұсқасын редакцияға қайта жiберуi керек. Рецензент жарамсыз деп таныған мақала қайтара қарастырылмайды. Мақаланың түзетiлген нұсқасы мен автордың рецензентке жауабы редакцияға жiберiледi.

110