• Ешқандай Нәтиже Табылған Жоқ

СЕНСОРНЫ Х СИСТЕМАХ

- будут созданы условия извлечения из подсознания человека информации, что по­

зволит человеку войти в новые общественно-экономические, социальные и биоло­

гические измерения.

Поэтому формирование инженера, технолога, ученого, будущего руководителя следует начинать сегодня [1,2].

ЖТЕРАТУРА

1. Образовательный стандарт РД РБ 02100.5 ХХХ-99 высшего образования по специальности «Интеллектуальные приборы, машины, технологии и производства».

2. Образовательный стандарт РД РБ 02100.5 ХХХ-99 по специальности «Интег- ралыше сенсорные системы».

У Д К 6 2 1 .3 7 .3 9 :5 3 4

В. М. Колешко, В. В. Баркалин, Е. В. П олынкова

УПРАВЛЕНИЕ АКУСТИЧЕСКИМ ПОЛЕМ

Таблица i.

Параметры, учитываемые при проектировании МЭМС на ПАВ

Управляющий параметр Формальный параметр П А В Материалы подложки и слоев Химический и фазовый состав материала

звукопровода, мат^)иальйые константы Cj^, CmNK- «iN. W % U • P Ориентация подложки и слоев Углы Эйлера я, ,м .0 ,ц ,9 ...

Толщины слоев Нормированные толщины слоев кН^, Ш2,.., к=2я/Х

Внутренние механические напряжения в слоях

а6 Неоднородность звукопровода П АВ

Коэффициенты отражения и преобразования П А В в объемные волны

Металлизация поверхности звукопровода

Коэффициент электромеханической связи Температура Температурные зависимости материальных

констант, толщин слоев, температурные напряжения в слоях.

Температурный коэффициент фазовой скорости П А В TCV^

Деформации звукопровода Коэффициент деформационной чувствительности фазовой скорости П А В DCVj^

Вращения в звукопроводе Коэффициент чувствительности фазовой скорости П А В к вращениям в звукопроводе RCV^^

Внепгаее электрическое поле Коэффициент чувствительности фазовой скорости П А В к электрическому полю ECVj^

Влияние адсорбции из газового окружения

Коэффициенты чувствительности фазовой скорости П А В к изменению концентраций CCV^^

Затухание П А В Коэффициент затухания П А В Усиление П А В электронным

ветром

Коэффициент увлечения П А В Поглощение П А В Коэффициент поглощения Акустическое и электромагнитное

излучение П А В во внешнюю среду

Коэффициент потерь на излучение

Генерация гармоник П А В и другие нелинейные эффекты взаимодействия

Амплитудные коэффициенты нелинейных взаимодействий

Преобразователи для возбуждения я приема П А В

Частотные характеристики преобразователей Электрические схемы

согласования ПАВ-етруктур с внешними цепями

Параметры элементов схем согласования

Напряжение питания П А В - структуры

Режимная нестабильность ПАВ-генераторов

Шумы Уровень шумов, отношение сигнал/шум

Хгфактеристики

микропроцессорной подсистемы

Электрические и информационные характеристики сигнала ПАВ-структур

при использовании ПАВ-струюур в качестве сенсорных элементов МЭМС ос­

новное значение имеет правильный выбор материалов и параметров звукопровода с точки зрения характеристик чувствительности ПАВ к внешним воздействиям.

Воздействия, затрагивающие весь объем звукопровода ПАВ, будем относить к о б ъ ем н ы м у п р а в л е н и я м , а воздействия, локализованные у поверхности звукопро­

вода - к п о в е р х н о с т н ы м у п р а в л е н и я м .

Одной из важнейших характеристик поля ПАВ является ее фазовая скорость Vj^, играющая ключевую роль в формировании частотных характеристик ПАВ-струк- тур. определяется как неявная функция квазистатических градиентов смеще­

ний, электрического поля, температуры, толщин слоев, ориентации слоев и под­

ложки, внутренних механических напряжений в слоях:

(1)

Эти же величины определяют фактор подложки в чувствительности к массо­

вому нагружению поверхности:

/л/ =2яЛ + 5 + С

р > . (2)

где р -- плотность материала подложки, А ,В , С - параметры звукопровода ПАВ, ха­

рактеризующие распределение энергии ПАВ по глубине подложки. Величины и составляют основу алгоритмов управления и оптимизации МЭМС на ПАВ и определяются в результате численного моделирования.

Для объемных воздействий может рассматриваться как термодинамичес­

кая функция состояния приповерхностного слоя материала звукопровода тол­

щиной в несколько длин ПАВ. Используя алгебраические свойства как фун­

кции эффективных модулей упругости, через нормированные частные произ­

водные (НЧП) этой функции по модулям упругости можно определить ее пол­

ный дифференциал.

Наибольшими значениями НЧП обладают кристаллы со степенью ионности, близкой к критической (fj*^==0,785). К ним относятся галогениды меди Cul, СиВг, CuCl, соединения ZnTe, P-ZnSe, CdTe, CdS, CdSe.

Для ковалентных кристаллов с решеткой типа алмаза (fj=0) НЧП определяются степенью металличности связей, которую можно характеризовать главным кванто­

вым числом п валентной оболочки атомов, образующих кристалл. С ростом п ко­

эффициент анизотропии растет, поэтому растут и величины НЧП в ряду (С, -SiC, Si,Ge, a-Sn).

Для исследования влияния кристаллографической ориентации звукопровода на характеристики ПАВ необходимо использовать алгоритм рис. 1. Полученные ре­

зультаты свидетельствуют о том, что DCV обладают собственными экстремумами, не сводящимися к экстремумам и поэтому йнформацйоішо более емки.

В табл. 2 представлены данные об ориентационной зависимости TCV для мо- нокристаллического кремния в нескольких температурных диапазонах.

Полученные данные в совокупности свидетельствуют об эффективности управ­

ления характеристиками ПАВ посредством выбора ориентшщи звукопровода, вида и формы налагаемого внешнего воздействия.

Многослойные ПАВ-струюуры характеризуются наличием нескольких мод ПАВ и дисперсией, определяемой зависимостью от нормированных толщин слоев, влияние слоя на характеристики ПАВ зависит от частотного диапазона ПАВ-струк- туры, толщина слоя является эффективным параметром управления характеристи­

ками ПАВ в узшм диапазоне изменений.

Температура влияет на характеристики ПАВ как вследствие температурной за­

висимости материальных констант и геометрических параметров ПАВ-структур, так и вследствие температурных напряжений в слоях. В целом температура оказы­

вает на параметры ПАВ влияние, достаточное для его использования в ПАВ-пре- образователях температуры.

Таблица 2 Коэффициент температурной чувствительности фазовой

скорости ПАВ TVC (К’О в монокристаллическом кремнии Ориентация

звукопровода

Температурный диапазон, к

293-373 373-473 473-573 573-673

{0 0 1}<1 0 0>

{0 0 1} <1 1 0>

{1 1 1}<0 1 1>

{1 1 1}<1 1 2>

{1 1 0} < П0>

-2,956-Ю ' -3,049-Ю'^

-3,0 1 5 -ю ’’

-3,031-10’’

-2,995-10’’

-2,775-10’’

-2,607-10’’

-3,136-10’’

-2,884-10’’

-3,133-10’’

-3,195-10’’

-3,152-10’’

-2,919-10’’

-3,030-10’’

-2,922-10’’

-3,256-10’^

-3,280-10’’

-2,977-10’’

-3,124-10’’

-2,922-10’’

Влияние внутренних механических напряжений в слоях ПАВ-структуры иссле­

довалось для структуры Si\Si02\Zn0 как наиболее перспективной для использова­

ния в интегральных многофункциональных сенсорных элементах с микропроцес­

сорной обработкой информации. Указанное влияние можно использовать для кон­

тролу йцутренней среды звукопровода ПАВ.

В большинстве случаев влияние поверхностных воздействий сводится к изме­

нению геометрических, электрических и упругих характеристик поверхностного

слоя ПАВ-струкіуры, приводящих к локальному изменению . Например, в слу*

чае массового нагружения фактор подложки (3) в изменении резонансной частоты / автогенератора на ПАВ определяется соотношением

А Г / / = - / - Л . - А т ( 4 ) . где т - поверхностная плотность слоя.

При прочих равных условиях максимальной чувствительностью к массово­

му нагружению поверхности обладают ПАВ в звукопроводах из моноіфйсталлй- ческого кварца Y ^-, X,Z-, Х,У-ориентаций. Наименее чувствительны ПАВ в звуко- проводе из сапфира Х,У-ориентации.

Знание позволяет просто оценивать изменение чувствительности VR к массо­

вому нагружению поверхности при замене матфиала и ориентации подложки. В табл. 3 представлены данные по чувствительности ПАВ-преобразователей концені>

раций NOj, NH3, СО2, СО, Н2О, СНд с чувствительным слоем из фталоцианина тол­

щиной 3 мкм и рабочей частотой ПАВ 78,95 МГц, полученные на основе данных по чувствительносш аналогичного преобразователя из кварца 8Т,Х-ориентации.

Таблица 3.

Чувствительность ПАВ-преобразователей концентрации газов в воздухе Ь И Ь С (Гц/млн.часть) на частоте ПАВ 78,95 МГц при толщине

чувствительного слоя фталоцианана 3 мкм

Материал подложки

Ориен­

тация

л с

100 млн.

частей N 0 ,

200 млн.

частей N ą

3500 млн.

частей

со,

1200 млн.

частей С О

8000 млн.

частей

ą o

400 млн.

частей

c ą

Кварц S T X -4.900 0.800 -0.01 0.03 0.02 0.200

•2Э1

0.49 -0.006 0.018 0.012 0.12

Y .Z -8.15 1.33 .0.017 0.05 0.033 0.33

Сапфир Z X -1.65 0.27 -0.003 0.01 0.007 0.07

XJZ -1.981 0.323 -0.004 0.012 0.008 0.081

YJC -1.378 0.225 -0.003 0.008 0.006 0.056

Ниобат лития

Z X -3.235 0.528 -0.007 0.020 0.013 0.132

Y .X -3.467 0.566 -0.007 0.021 0.014 0.142

xIy -3.213 0.525 -0.007 0.020 0.013 0.131

Кремний X .Z -6.048 0.988 -0.012 0.037 0.025 0.247

SiOjCmi.) -8.451 1.380 -0.017 0.052 0.034 0.345

Германий x,z -4.599 0.751 -0.009 О.028 0.019 0.188

Оксид цинка

-2.022 0.330 -0.004 0.012 0.008 0.083

Z X -2.567 0.419 -0.005 0.016 0.010 0.105

ЛИТЕРАТУРА

1. Преобразователь механических величин (Колешко В.М., Мешков Ю.В., Бар- калин В.В.) - авторское свидетельство СССР N 1634063.2. Преобразователь меха­

нических величин (Колешко В.М., Мешков Ю.В., Баркалин В.В.) - авторское сви­

детельство СССР N 1634111. 3. Преобразователь давления (Колешко В.М., Меш­

ков Ю.В., Баркалин В.В.) авторское свидетельство СССР N 1572187.4. Преобра­

зователь механических величин (Колешко В.М., Мешков Ю.В., Баркалин В.В.) - авторское свидетельство СССР N 1378721. 5. Преобразователь механических ве­

личин (Колешко В.М., Мешков Ю.В., Баркалин В.В.) - авторское свидетельство СССР N J426400.6. Преобразователь механических величин (Колешко В.М., Меш­

ков Ю.В., Баркалин В.В.) - авторское свидетельство СССР N 1410642. 7. Устрой­

ство на поверхностных акустических волнах (Колешко В.М., Мешков Ю.В., Барка­

лин В.В.) - авторское свидетельство СССР N 1436831.

У Д К 6 2 1 3 7 3 9 : 5 3 4

В. М. Колешко, В. В. Баркалин, £ . В. Полынкова

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ

Outline

СӘЙКЕС КЕЛЕТІН ҚҰЖАТТАР